HM-ENS系列電磁噪聲抑制片

HM-ENS系列電磁噪聲抑制片由微米級片狀合金軟磁粉與聚合物混合、分散、壓延而成，在同一平面按照同一方向相互重疊，形成核殼結構，有害電磁噪聲與吸收介質(zhì)發(fā)生電磁共振以及渦流損耗，轉化成熱量，進(jìn)而改善電磁環(huán)境。

HM-ENS系列電磁噪聲抑制片產(chǎn)品特性

HM-ENS系列電磁噪聲抑制片由微米級片狀合金軟磁粉與聚合物混合、分散、壓延而成，在同一平面按照同一方向相互重疊，形成核殼結構，有害電磁噪聲與吸收介質(zhì)發(fā)生電磁共振以及渦流損耗，轉化成熱量，進(jìn)而改善電磁環(huán)境。

厚度薄、柔性好，便于模切不同的形狀和尺寸，背膠貼合厚度0.005 mm～0.1 mm。頻率寬、吸收強，高磁導率對鏡面波和表面波具有良好的吸收特性，搭配導電布、鋁箔、銅箔導電材料使用，強化吸收、屏蔽效果，10 MHz～6 GHz具有優(yōu)異的電磁噪聲抑制功能。

HM-ENS系列電磁噪聲抑制片應用領(lǐng)域

廣泛應用于衛星導航、雷達、無(wú)人駕駛，5G通訊天線(xiàn)、通訊基站、光收發(fā)模塊，NFC天線(xiàn)基板、WPC無(wú)線(xiàn)充電、RFID射頻識別，芯片、主板、手機、筆電EMI、數碼產(chǎn)品、電子觸控屏、數據線(xiàn)屏蔽、接口EMC、ETC領(lǐng)域。

HM-ENS系列電磁噪聲抑制片技術(shù)參數

備注：可以根據客戶(hù)需求，采取逆向工程即逆向技術(shù)，根據MAXWELL方程，采用遺傳算法（GA），實(shí)現吸波材料仿真（CAD），發(fā)揮吸收介質(zhì)特性設計，縮短吸波材料研制周期，滿(mǎn)足客戶(hù)對于HM-ENS系列電磁噪聲抑制片的特定需求.

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